maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR
Référence fabricant | MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR-FT |
MT29F256G08AUAAAC5-IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUAAAC5-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUAAAC5-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUAAAC5:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABK4-10:A
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel