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Référence fabricant | MT29F1T08CUCBBH8-6C:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1T08CUCBBH8-6C:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1T08CUCBBH8-6C:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Tb (128G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08CUCBBH8-6C:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1T08CUCBBH8-6C:B-FT |
MT29F16G08ADBCAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ADBCAH4:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AFABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AFABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F16G08AJADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08CBACAL72A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F16G08CBACAL72A3WC1-V
Micron Technology Inc.
MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08CBACBWP-12:C TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel