maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1G08ABADAH4-IT:D
Référence fabricant | MT29F1G08ABADAH4-IT:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABADAH4-IT:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABADAH4-IT:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABADAH4-IT:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABADAH4-IT:D-FT |
W94AD6KBHX5E
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5E TR
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5I TR
Winbond Electronics
MT46H32M16LFCK-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFCK-6 TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 XIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel