maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F128G08CBCEBJ4-37:E
Référence fabricant | MT29F128G08CBCEBJ4-37:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F128G08CBCEBJ4-37:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F128G08CBCEBJ4-37:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 128Gb (16G x 8) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCEBJ4-37:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F128G08CBCEBJ4-37:E-FT |
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel