maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

| Référence fabricant | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 128Gb (16G x 8) |
| Fréquence d'horloge | 267MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR-FT |

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
Micron Technology Inc.

LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation

XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.

AX125-FG256I
Microsemi Corporation

5CGXFC7D6F27I7N
Intel

5SGSMD6K1F40I2N
Intel

5SGXEA4K3F35I3N
Intel

XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.

A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation

ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX360FF35C2XN
Intel