maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F128G08CBCBBH6-6R:B
Référence fabricant | MT29F128G08CBCBBH6-6R:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F128G08CBCBBH6-6R:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 128Gb (16G x 8) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F128G08CBCBBH6-6R:B-FT |
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT
Micron Technology Inc.
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel