maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR
Référence fabricant | MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 128Gb (16G x 8) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR-FT |
MT29C8G96MAZBBDKD-48 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
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XCV300E-6FG256I
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LFE2-12SE-5Q208C
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A40MX02-1PLG68M
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LFXP2-5E-7FT256C
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LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
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LFXP2-30E-6FN484I
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