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Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

Name: MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT
Availability: InStock
Rating: 4.6 (263 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT

quantité disponible: 13110 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC FLASH RAM 1G PARAL 130VFBGA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT.pdf

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MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT Caractéristiques

Référence fabricant	MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT
Numéro de pièce future	FT-MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	FLASH, RAM
La technologie	FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Taille mémoire	1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)
Fréquence d'horloge	166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	130-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur	130-VFBGA (8x9)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT-FT

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