maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT28F640J3BS-115 GMET
Référence fabricant | MT28F640J3BS-115 GMET |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT28F640J3BS-115 GMET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT28F640J3BS-115 GMET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH |
Taille mémoire | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 115ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 64-FBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 64-FBGA (10x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28F640J3BS-115 GMET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT28F640J3BS-115 GMET-FT |
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWPR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP-M:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel