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Référence fabricant | MT25TL256BBA8ESF-0AAT |
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Numéro de pièce future | FT-MT25TL256BBA8ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL256BBA8ESF-0AAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 2.8ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL256BBA8ESF-0AAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT25TL256BBA8ESF-0AAT-FT |
M58WR032KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB7AZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KL70ZA6U TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel