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Référence fabricant | MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 2.8ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WPDFN (6x8) (MLP8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR-FT |
M28W640FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W640FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW323DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW323DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW640F70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29DW641F60ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W160EB70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W160EB70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel