maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MSWSE-040-10
Référence fabricant | MSWSE-040-10 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSWSE-040-10 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSWSE-040-10 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 250V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.12pF @ 50V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.4 Ohm @ 50mA, 500MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSWSE-040-10 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSWSE-040-10-FT |
HMPP-3862-TR1
Broadcom Limited
HMPP-3862-TR2
Broadcom Limited
HMPP-3865-TR1
Broadcom Limited
HMPP-3865-TR2
Broadcom Limited
HMPP-3890-BLK
Broadcom Limited
HMPP-3890-TR1
Broadcom Limited
HMPP-3890-TR2
Broadcom Limited
HMPP-3892-BLK
Broadcom Limited
HMPP-3892-TR1
Broadcom Limited
HMPP-3892-TR2
Broadcom Limited
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel