maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSRT250120(A)
Référence fabricant | MSRT250120(A) |
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Numéro de pièce future | FT-MSRT250120(A) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSRT250120(A) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 250A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 15µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT250120(A) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSRT250120(A)-FT |
GSXD060A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A020S1-D3
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GSXF100A060S1-D3
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GSXF060A040S1-D3
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GHXS050A060S-D3
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GHXS060A120S-D3
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GSXD030A008S1-D3
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GSXF120A060S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
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XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
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EPF10K10QI208-4N
Intel