maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMLJ170AE3
Référence fabricant | MSMLJ170AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMLJ170AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMLJ170AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 170V |
Tension - Panne (Min) | 189V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 275V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 11A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMLJ170AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMLJ170AE3-FT |
MASMLJ8.0CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ8.5CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ9.0A
Microsemi Corporation
MASMLJ9.0AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ9.0CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ100AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ100CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ110A
Microsemi Corporation
MSMCJ110AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ120A
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation