maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMLJ150AE3
Référence fabricant | MSMLJ150AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMLJ150AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMLJ150AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 150V |
Tension - Panne (Min) | 167V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 243V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 12.4A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMLJ150AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMLJ150AE3-FT |
MSMCJ130AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ130CA
Microsemi Corporation
MSMCJ130CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ13A
Microsemi Corporation
MSMCJ13CA
Microsemi Corporation
MSMCJ13CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ150CA
Microsemi Corporation
MSMCJ150CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ15AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ15CA
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel