maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMLJ12A
Référence fabricant | MSMLJ12A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSMLJ12A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMLJ12A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V |
Tension - Panne (Min) | 13.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 150.6A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMLJ12A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMLJ12A-FT |
MSMCJ10CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ110CA
Microsemi Corporation
MSMCJ110CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ11A
Microsemi Corporation
MSMCJ11AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ11CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ12A
Microsemi Corporation
MSMCJ12AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ12CA
Microsemi Corporation
MSMCJ12CAE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel