maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMLJ11AE3
Référence fabricant | MSMLJ11AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMLJ11AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMLJ11AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V |
Tension - Panne (Min) | 12.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 18.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 164.8A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMLJ11AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMLJ11AE3-FT |
MASMCJ30CA
Microsemi Corporation
MSMCJ100A
Microsemi Corporation
MSMCJ100CA
Microsemi Corporation
MSMCJ10A
Microsemi Corporation
MSMCJ10AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ10CA
Microsemi Corporation
MSMCJ10CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ110CA
Microsemi Corporation
MSMCJ110CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ11A
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
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A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation