maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMCJLCE100AE3
Référence fabricant | MSMCJLCE100AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMCJLCE100AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMCJLCE100AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 100V |
Tension - Panne (Min) | 111V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 162V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 9.3A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 90pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMCJ) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMCJLCE100AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMCJLCE100AE3-FT |
MASMLJ43A
Microsemi Corporation
MASMLJ43AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ43CA
Microsemi Corporation
MASMLJ43CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ45A
Microsemi Corporation
MASMLJ45AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ45CA
Microsemi Corporation
MASMLJ45CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ48CA
Microsemi Corporation
MASMLJ5.0AE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel