maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMCJ51AE3/TR
Référence fabricant | MSMCJ51AE3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MSMCJ51AE3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMCJ51AE3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 51V |
Tension - Panne (Min) | 56.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 82.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 18.2A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | SMCJ (DO-214AB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMCJ51AE3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMCJ51AE3/TR-FT |
MSMBJ6.0CAE3/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ6.5A/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ6.5CA/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ6.5CAE3/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ60AE3/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ7.0A/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ7.0CA/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ7.0CAE3/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ7.5A/TR
Microsemi Corporation
MSMBJ7.5CA/TR
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel