maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMCJ30AE3
Référence fabricant | MSMCJ30AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMCJ30AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMCJ30AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30V |
Tension - Panne (Min) | 33.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 48.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 31A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMCJ) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMCJ30AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMCJ30AE3-FT |
MASMLJ26A
Microsemi Corporation
MASMLJ26AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ26CA
Microsemi Corporation
MASMLJ26CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ28A
Microsemi Corporation
MASMLJ28AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ28CA
Microsemi Corporation
MASMLJ28CAE3
Microsemi Corporation
MASMLJ30AE3
Microsemi Corporation
MASMLJ30CAE3
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel