maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ170CA/TR
Référence fabricant | MSMBJ170CA/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ170CA/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ170CA/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 170V |
Tension - Panne (Min) | 189V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 275V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 2.2A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ170CA/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ170CA/TR-FT |
VESD12C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MASMLG8.0CAE3
Microsemi Corporation
1N6112A
Semtech Corporation
XC3042-125PQ100C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
XC7K420T-1FFG901I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FFGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EBI652-2X
Intel