maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ16CA/TR
Référence fabricant | MSMBJ16CA/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ16CA/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ16CA/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 16V |
Tension - Panne (Min) | 17.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 23.1A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ16CA/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ16CA/TR-FT |
VESD08C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel