maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ14A/TR
Référence fabricant | MSMBJ14A/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ14A/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ14A/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 14V |
Tension - Panne (Min) | 15.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 23.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 25.8A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ14A/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ14A/TR-FT |
VESD03C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation