maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ11A/TR
Référence fabricant | MSMBJ11A/TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSMBJ11A/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ11A/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V |
Tension - Panne (Min) | 12.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 18.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 33A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ11A/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ11A/TR-FT |
VESD01C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN060-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2
Intel
EP3SE50F484I4
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CGXFC7B6M15I7
Intel
LCMXO2-2000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation