maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ11A/TR
Référence fabricant | MSMBJ11A/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ11A/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ11A/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V |
Tension - Panne (Min) | 12.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 18.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 33A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ11A/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ11A/TR-FT |
VESD01C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel