maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ110AE3
Référence fabricant | MSMBJ110AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSMBJ110AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ110AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 110V |
Tension - Panne (Min) | 122V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 177V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.4A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ110AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ110AE3-FT |
MASMBJ30CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33CA
Microsemi Corporation
MASMBJ33CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36A
Microsemi Corporation
MASMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ40A
Microsemi Corporation
MASMBJ40AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ40CAE3
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel