maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ10A/TR
Référence fabricant | MSMBJ10A/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ10A/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ10A/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 35.3A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ10A/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ10A/TR-FT |
SZESD7272LT1G
ON Semiconductor
VESD01C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013XL-09HT144C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP10C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel