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Référence fabricant | MSM5117400F-60T3DR1 |
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Numéro de pièce future | FT-MSM5117400F-60T3DR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSM5117400F-60T3DR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 16Mb (4M x 4) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 110ns |
Temps d'accès | 30ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSM5117400F-60T3DR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSM5117400F-60T3DR1-FT |
M50FW080K5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080N1
Micron Technology Inc.
M50FW080N5
Micron Technology Inc.
M50FW080N5G
Micron Technology Inc.
M50FW080N5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080NB5G
Micron Technology Inc.
M50FW080NB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50LPW116N1
STMicroelectronics
M50LPW116N5G
Micron Technology Inc.
M50LPW116N5TG TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel