maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSCD60-08
Référence fabricant | MSCD60-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSCD60-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSCD60-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 200A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD60-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSCD60-08-FT |
APT30S20BCTG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation
APT10SCD120BCT
Microsemi Corporation
APT15D100BHBG
Microsemi Corporation
APT15D120BCTG
Microsemi Corporation
APT15D60BCAG
Microsemi Corporation
APT15DQ120BCTG
Microsemi Corporation
APT15DS60BG
Microsemi Corporation
APT15S20BCTG
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel