maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSCD120-08
Référence fabricant | MSCD120-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MSCD120-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSCD120-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.43V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 6mA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD120-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSCD120-08-FT |
APT15D40BCTG
Microsemi Corporation
APT15D60BCTG
Microsemi Corporation
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation
APT30D40BCTG
Microsemi Corporation
APT30S20BCTG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation
APT10SCD120BCT
Microsemi Corporation
APT15D100BHBG
Microsemi Corporation
APT15D120BCTG
Microsemi Corporation
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel