maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSCD100-18
Référence fabricant | MSCD100-18 |
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Numéro de pièce future | FT-MSCD100-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSCD100-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 1800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD100-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSCD100-18-FT |
MBRF20100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20100CTH
ON Semiconductor
MBRF20150CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20200CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2060CTH
ON Semiconductor
MBRF20H100CTGHE3/4
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF20H100CTH
ON Semiconductor
MBRF20H150CT1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF20H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF20H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel