maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSCD100-12
Référence fabricant | MSCD100-12 |
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Numéro de pièce future | FT-MSCD100-12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSCD100-12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD100-12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSCD100-12-FT |
APT30D120BCTG
Microsemi Corporation
APT15D100BCTG
Microsemi Corporation
APT15D40BCTG
Microsemi Corporation
APT15D60BCTG
Microsemi Corporation
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation
APT30D40BCTG
Microsemi Corporation
APT30S20BCTG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation
APT10SCD120BCT
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel