maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSCD100-08
Référence fabricant | MSCD100-08 |
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Numéro de pièce future | FT-MSCD100-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSCD100-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD100-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSCD100-08-FT |
APT30D100BCTG
Microsemi Corporation
APT30D120BCTG
Microsemi Corporation
APT15D100BCTG
Microsemi Corporation
APT15D40BCTG
Microsemi Corporation
APT15D60BCTG
Microsemi Corporation
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation
APT30D40BCTG
Microsemi Corporation
APT30S20BCTG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
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M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
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5SGXMA5N2F40I3N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP3SE110F1152C4N
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XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel