maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MSAD120-16
Référence fabricant | MSAD120-16 |
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Numéro de pièce future | FT-MSAD120-16 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MSAD120-16 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.43V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 6mA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD120-16 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSAD120-16-FT |
APT2X101DL40J
Microsemi Corporation
APT2X30DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61D40J
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APT2X101DQ100J
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APT2X100DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X30D20J
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APT2X30D60J
Microsemi Corporation
APT2X31D30J
Microsemi Corporation
APT2X31D40J
Microsemi Corporation
XC4052XL-1HQ304C
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XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
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M1A3PE1500-FGG484
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EPF6016AFC256-2
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EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
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LFE2M50E-6F484I
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LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation