maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS2200
Référence fabricant | MS2200 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MS2200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS2200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 65V |
Fréquence - Transition | 400MHz ~ 500MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 9.7dB |
Puissance - Max | 1167W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 43.2A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | M102 |
Package d'appareils du fournisseur | M102 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS2200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS2200-FT |
80005
Microsemi Corporation
80262
Microsemi Corporation
80275H
Microsemi Corporation
80277H
Microsemi Corporation
80279H
Microsemi Corporation
82094
Microsemi Corporation
90025HS
Microsemi Corporation
AT-41486-BLK
Broadcom Limited
AT-41486-TR1G
Broadcom Limited
AT-41486-TR2G
Broadcom Limited
XCV50-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FGG320C
Xilinx Inc.
EP2C20AF484I8N
Intel
5SGXEB9R3H43C4N
Intel
XC7VX485T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6N
Intel