maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS1582
Référence fabricant | MS1582 |
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Numéro de pièce future | FT-MS1582 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS1582 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Fréquence - Transition | 470MHz ~ 860MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 9dB |
Puissance - Max | 135W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | M173 |
Package d'appareils du fournisseur | M173 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS1582 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS1582-FT |
BFP640FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP640FH6327XTSA1
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BFP 640FESD E6327
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EX128-FTQG64
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EPF10K50ETI144-2N
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XC7S100-1FGGA484I
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AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N3F40I3N
Intel
XC4010XL-2BG256C
Xilinx Inc.
EP1C12Q240C7N
Intel