maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS1512
Référence fabricant | MS1512 |
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Numéro de pièce future | FT-MS1512 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS1512 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 25V |
Fréquence - Transition | 860MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 10dB |
Puissance - Max | 19.4W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.2A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | M122 |
Package d'appareils du fournisseur | M122 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS1512 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS1512-FT |
BFP620FH7764XTSA1
Infineon Technologies
BFP640FESDH6327XTSA1
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10M02SCM153C8G
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EPF10K100EQC240-1
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