maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS1509
Référence fabricant | MS1509 |
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Numéro de pièce future | FT-MS1509 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS1509 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 33V |
Fréquence - Transition | 500MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 5.5dBi |
Puissance - Max | 260W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | M168 |
Package d'appareils du fournisseur | M168 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS1509 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS1509-FT |
BFP520FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP620FH7764XTSA1
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5SGXEA4H2F35I2LN
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XC5VLX110-1FF1760C
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LFXP6C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
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EPF10K50VQC240-3AA
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