maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS1003
Référence fabricant | MS1003 |
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Numéro de pièce future | FT-MS1003 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS1003 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 18V |
Fréquence - Transition | 136MHz ~ 175MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 6dB |
Puissance - Max | 270W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 20A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | M111 |
Package d'appareils du fournisseur | M111 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS1003 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS1003-FT |
64054H
Microsemi Corporation
64062
Microsemi Corporation
64065
Microsemi Corporation
64077
Microsemi Corporation
66068B
Microsemi Corporation
66082B
Microsemi Corporation
66099
Microsemi Corporation
66112
Microsemi Corporation
66116
Microsemi Corporation
68106H
Microsemi Corporation
XC2V80-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6002-4AI
Microchip Technology
10M50DAF484I7G
Intel
5SGSMD5K3F40C2N
Intel
10AX032H2F35I2SG
Intel
XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.