maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MRFE6VP8600HR6
Référence fabricant | MRFE6VP8600HR6 |
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Numéro de pièce future | FT-MRFE6VP8600HR6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRFE6VP8600HR6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 860MHz |
Gain | 19.3dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 1.4A |
Puissance - sortie | 125W |
Tension - nominale | 130V |
Paquet / caisse | NI-1230 |
Package d'appareils du fournisseur | NI-1230 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRFE6VP8600HR6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRFE6VP8600HR6-FT |
MRF6S27050HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S27085HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S27085HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S9130HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S9130HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S9160HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S9160HSR5
NXP USA Inc.
MRF6V10250HSR3
NXP USA Inc.
MRF6V10250HSR5
NXP USA Inc.
MRF6V12250HSR3
NXP USA Inc.
A1020B-2PQG100C
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
10CL080YU484C8G
Intel
EP1K100FC484-3N
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EP4SGX180KF40C3N
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5SGXMB5R2F43C3N
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LFXP2-8E-5MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30RI208-4N
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