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NXP USA Inc. MRFE6VP8600HR6

Numéro de pièce MFG
MRFE6VP8600HR6
quantité disponible
90850 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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MRFE6VP8600HR6 Caractéristiques

Référence fabricant MRFE6VP8600HR6
Numéro de pièce future FT-MRFE6VP8600HR6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MRFE6VP8600HR6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 860MHz
Gain 19.3dB
Tension - Test 50V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 1.4A
Puissance - sortie 125W
Tension - nominale 130V
Paquet / caisse NI-1230
Package d'appareils du fournisseur NI-1230
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MRFE6VP8600HR6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MRFE6VP8600HR6-FT

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