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NXP USA Inc. MRFE6VP6600GNR3

Numéro de pièce MFG
MRFE6VP6600GNR3
quantité disponible
11320 Pièces
Prix de référence
USD 69.706912
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- TRANS RF LDMOS 600W 50V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MRFE6VP6600GNR3.pdf
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MRFE6VP6600GNR3 Caractéristiques

Référence fabricant MRFE6VP6600GNR3
Numéro de pièce future FT-MRFE6VP6600GNR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MRFE6VP6600GNR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 230MHz
Gain 24.7dB
Tension - Test 50V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 100mA
Puissance - sortie 600W
Tension - nominale 133V
Paquet / caisse OM-780G-4L
Package d'appareils du fournisseur OM-780G-4L
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MRFE6VP6600GNR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MRFE6VP6600GNR3-FT

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