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NXP USA Inc. MRF8S26120HSR3

Numéro de pièce MFG
MRF8S26120HSR3
quantité disponible
10860 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- FET RF 65V 2.69GHZ NI780S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MRF8S26120HSR3.pdf
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MRF8S26120HSR3 Caractéristiques

Référence fabricant MRF8S26120HSR3
Numéro de pièce future FT-MRF8S26120HSR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MRF8S26120HSR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de transistor LDMOS
La fréquence 2.69GHz
Gain 15.6dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 900mA
Puissance - sortie 28W
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse NI-780S
Package d'appareils du fournisseur NI-780S
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MRF8S26120HSR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MRF8S26120HSR3-FT

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