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NXP USA Inc. MRF8S21200HSR6

Numéro de pièce MFG
MRF8S21200HSR6
quantité disponible
31010 Pièces
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MRF8S21200HSR6.pdf
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MRF8S21200HSR6 Caractéristiques

Référence fabricant MRF8S21200HSR6
Numéro de pièce future FT-MRF8S21200HSR6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MRF8S21200HSR6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 2.14GHz
Gain 18.1dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 1.4A
Puissance - sortie 48W
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse NI-1230S
Package d'appareils du fournisseur NI-1230S
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MRF8S21200HSR6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MRF8S21200HSR6-FT

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