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NXP USA Inc. MRF8P20160HSR3

Numéro de pièce MFG
MRF8P20160HSR3
quantité disponible
83890 Pièces
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USD 0
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MRF8P20160HSR3.pdf
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MRF8P20160HSR3 Caractéristiques

Référence fabricant MRF8P20160HSR3
Numéro de pièce future FT-MRF8P20160HSR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MRF8P20160HSR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 1.92GHz
Gain 16.5dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 550mA
Puissance - sortie 37W
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse NI-780S-4
Package d'appareils du fournisseur NI-780S-4
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MRF8P20160HSR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MRF8P20160HSR3-FT

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