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NXP USA Inc. MRF8P20140WGHSR3

Numéro de pièce MFG
MRF8P20140WGHSR3
quantité disponible
81710 Pièces
Prix de référence
USD 74.558528
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MRF8P20140WGHSR3.pdf
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MRF8P20140WGHSR3 Caractéristiques

Référence fabricant MRF8P20140WGHSR3
Numéro de pièce future FT-MRF8P20140WGHSR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MRF8P20140WGHSR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS (Dual)
La fréquence 1.88GHz ~ 1.91GHz
Gain 16dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 500mA
Puissance - sortie 24W
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse NI-780S-4
Package d'appareils du fournisseur NI-780S-4
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MRF8P20140WGHSR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MRF8P20140WGHSR3-FT

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