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Référence fabricant | MRF6V2010NBR5 |
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Numéro de pièce future | FT-MRF6V2010NBR5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF6V2010NBR5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 220MHz |
Gain | 23.9dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 30mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | TO-272BC |
Package d'appareils du fournisseur | TO-272-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6V2010NBR5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF6V2010NBR5-FT |
MRF7S38075HSR3
NXP USA Inc.
MRF7S38075HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S18120HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S18120HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S19140HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S19140HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S21100HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S21120HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S21140HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S21140HSR5
NXP USA Inc.
A1415A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4LN
Intel
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
EP2C70F896C6
Intel
EP3SL110F780C4L
Intel
EPF10K50VBI356-3
Intel