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Référence fabricant | MRF6V2010NBR1 |
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Numéro de pièce future | FT-MRF6V2010NBR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF6V2010NBR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 220MHz |
Gain | 23.9dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 30mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | TO-272BC |
Package d'appareils du fournisseur | TO-272-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6V2010NBR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF6V2010NBR1-FT |
MRF7S35120HSR5
NXP USA Inc.
MRF7S38075HSR3
NXP USA Inc.
MRF7S38075HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S18120HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S18120HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S19140HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S19140HSR5
NXP USA Inc.
MRF8S21100HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S21120HSR3
NXP USA Inc.
MRF8S21140HSR3
NXP USA Inc.
XC4020XL-09HT144C
Xilinx Inc.
EP20K60ETC144-3N
Intel
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8
Intel
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
10AX048H4F34E3LG
Intel
XC7K160T-2FB676I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP3SE50F780C4LN
Intel