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Référence fabricant | MRF6V2010GNR1 |
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Numéro de pièce future | FT-MRF6V2010GNR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF6V2010GNR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 220MHz |
Gain | 23.9dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 30mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | TO-270BA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-270G-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6V2010GNR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF6V2010GNR1-FT |
BLC10G22XS-400AVTZ
Ampleon USA Inc.
BLC10G18XS-400AVTZ
Ampleon USA Inc.
BLC10G18XS-551AVTZ
Ampleon USA Inc.
BLC10G18XS-550AVTY
Ampleon USA Inc.
BLC10G22XS-400AVTY
Ampleon USA Inc.
EP1C3T144C7N
Intel
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8N
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
XC7VX550T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I3
Intel