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NXP USA Inc. MRF6V12500HR3

Numéro de pièce MFG
MRF6V12500HR3
quantité disponible
87160 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MRF6V12500HR3.pdf
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MRF6V12500HR3 Caractéristiques

Référence fabricant MRF6V12500HR3
Numéro de pièce future FT-MRF6V12500HR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MRF6V12500HR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.03GHz
Gain 19.7dB
Tension - Test 50V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 200mA
Puissance - sortie 500W
Tension - nominale 110V
Paquet / caisse NI-780
Package d'appareils du fournisseur NI-780
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MRF6V12500HR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MRF6V12500HR3-FT

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