maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MRF6S20010GNR1
Référence fabricant | MRF6S20010GNR1 |
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Numéro de pièce future | FT-MRF6S20010GNR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF6S20010GNR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2.17GHz |
Gain | 15.5dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 130mA |
Puissance - sortie | 10W |
Tension - nominale | 68V |
Paquet / caisse | TO-270BA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-270-2 GULL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6S20010GNR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF6S20010GNR1-FT |
UF2840G
M/A-Com Technology Solutions
UF2820P
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EPF10K30ETC144-2N
Intel
LFEC1E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
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APA450-FG484A
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG256I
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5SGSED8N2F45I2LN
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Xilinx Inc.
A54SX08A-TQ100
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EPF10K20RI240-4N
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