maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / MRF6S19200HSR3
Référence fabricant | MRF6S19200HSR3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MRF6S19200HSR3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF6S19200HSR3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
Gain | 17.9dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 1.6A |
Puissance - sortie | 56W |
Tension - nominale | 66V |
Paquet / caisse | NI-780S |
Package d'appareils du fournisseur | NI-780S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6S19200HSR3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF6S19200HSR3-FT |
MRFG35010ANT1
NXP USA Inc.
MRFG35010MT1
NXP USA Inc.
MRFG35010NT1
NXP USA Inc.
AFT21H350W03SR6
NXP USA Inc.
AFT09H310-03SR6
NXP USA Inc.
AFT26H200W03SR6
NXP USA Inc.
AFV121KHSR5
NXP USA Inc.
AFV141KHSR5
NXP USA Inc.
MMRF1013HSR5
NXP USA Inc.
MMRF1308HSR5
NXP USA Inc.
AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC7S6-1CSGA225I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP10C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel
EPF10K10QC208-4N
Intel